太阳能电池是缓解动力危机的新型光伏器材。太阳能电池能够运用在价格低廉的陶瓷、石墨、金属片等不同资料当基板来制作，构成可发生电压的厚度仅需数μm，现在转化功率最高能够达13%。电池太阳电池除了平面之外，也由于具有可挠功用够制作成非平面结构其运用规模大，可与修建物结合或是变成修建体的一部份，运用非常广泛。
发电，是依靠具有轻、薄、柔特征的太阳能电池芯片，像英特尔芯片（IntelInside）相同嵌入各类载体，供给清洁电力。比如将太阳能发电设备加载到手机、iPad、背包、帐篷、衣服、特种配备上，或许太阳能轿车，能够在太阳下边行进边充电，摆脱对充电桩的依靠。产品被运用在农业、修建建材、轿车乃至是无人机、卫星等范畴。
发电技能具有柔性可曲折、质量轻、弱光性好、色彩可调、形状可塑等优势。柔性砷化镓太阳能电池片发生的效能比全球量产的单晶硅技能提高8%，比多晶硅高出10%；相同面积下，其发生的效能可达一般柔性太阳能电池的2~3倍。发电，便是让人类像绿色植物相同直接运用阳光，发电能够理解为“人造叶绿素”。发电技能可广泛运用在分布式发电、移动3C产品、可穿戴设备以及太阳能全动力轿车、太阳能无人机、卫星等各种范畴。
砷化镓技能-Alta
砷化镓双结电池的最高转化率为31.6%，而砷化镓单结电池的转化率也已经达到29.1%。
砷化镓（GaAs）因其优异的功用和可靠性，代表了光伏技能的领先水平。传统的GaAs电池片极端贵重，重且易碎，完全不适于移动电源体系。Alta Devices砷化镓高效太阳能电池技能则具有高功率、低本钱、发电功用优异等特征，且产品轻质柔性，可完美地运用于移动电源体系。
Alta Devices在GaAs芯片上选用金属有机物气相堆积MOCVD技能完结光伏器材的外延成长，并选用湿法工艺把器材连同柔性衬底从芯片上剥离下来，之后根据用户需求，制成不同尺寸的产品。Alta Devices自主开发的MOCVD快速成长技能和大面积外延层剥离技能，使其具有很大的本钱降低潜力，并适合规模化出产。
铜铟镓硒技能-GSE
GSE选用柔性共蒸发CIGS技能。该技能是在30微米厚不锈钢衬底上经过卷对卷出产工艺（Roll to Roll）均匀堆积CIGS太阳电池器材的各功用性膜层，其优势为经过选用多点分布式蒸发源，提高堆积膜厚度均匀性；共蒸工序时间短（<4min）；原资料易获得（Cu、In、Se颗粒，Ga液态）；双XRF监测共蒸发堆积膜厚及成分，违背方针时自动调节蒸发源进行补偿；原资料运用率高，共蒸室壁的资料能够充分收回运用；粉尘处理简单（更换护板），蒸发源保护快捷（6小时保护时间）。
此外，GSE还具有独有的ICI（Integrated Cell Interconnect）封装技能。该技能选用图形化的镀膜方法制备内部结构愈加致密的铜前电极，削减了遮挡面积，降低了元件串联电阻，并经过激光焊接方法完结电池极衔接，消除了短路问题，从电池到组件的功率损失大幅减小。
铜铟镓硒技能-Solibro
Solibro具有35年的技能研制及10年的实体出产经验，涉及专利88项，已具有设备—工艺—产业化交钥匙工程的集成能力和交付经验，以及低产线建造和出产本钱的集成控制能力。
中心共蒸发技能选用独有的CIGS点源共蒸发技能，具有从下向上蒸发、多点源体系、相对较大的源与基板间隔的特征。CIGS电池各功用性膜层在不同的专用设备中完结镀膜。设备功用稳健（Robust），保护快速、产出率高、稼动率高，且具有很强的未来功率和工艺晋级灵活性。
现在，Solibro可按客户需求从规划CIGSPOWERLINE交钥匙工程开端，直至产线启动运转，供给全面支援，包括自主规划的CIGS共蒸发体系等全线设备，保证高品质的CIGS中心工艺以及高的元件转化功率。
铜铟镓硒技能-MiaSolé
世界领先的CIGS发电技能，分别为Solibro（根据玻璃衬底的共蒸发技能），MiaSolé（溅射技能）以及Global Solar Energy（根据柔性衬底的共蒸发技能）。无论在转化功率还是出产本钱，CIGS技能均已可与晶硅比美；且与晶硅比较，具有许多特性，如柔性衬底，更美观和更高的热体现等，运用效益远多于多晶硅。
MiaSolé选用CIGS技能出产太阳能电池和元件。该技能是根据轴对轴渠道，其中所有由CIGS太阳能电池构成的层，均在单台物理气相堆积（PVD）流程体系中依次溅射堆积至单块玻璃的柔性不锈钢衬底之上，之后完成电池构成自动化以及进行100%线上测试以此构成的柔性电池制作，碳排放小、本钱开销低；具有高出产率和低本钱。出产的柔性电池用于玻璃和轻质柔性组件出产线、消费者产品及其它不同的运用。
MiaSolé已经向遍及五大洲超过三十个客户交付了超过80MW的玻璃和柔性组件。
高效硅异质结技能-HIT
高效硅异质结技能是指带有本征层非晶硅资料的异质结技能。该技能是在n型或许p型的单晶硅片正反两面一共成长上6层，其本质是一种技能。双面SHJ电池的结构为Ag栅/ITO膜/p型非晶硅膜/本征非晶硅膜/n型单晶硅片/本征非晶硅膜/n型非晶硅膜/背面ITO膜/背面Ag栅。其中的非晶硅厚度只有5-10nm，可运用非晶硅的惯例低温堆积技能完成堆积（例如PECVD）。正反面ITO可由溅射法（PVD）制备，产业化本钱较低。由于本征非晶硅膜对硅片表面良好的钝化效果，使得器材的反向饱和电流降低了近2个数量级，电池的开路电压和光电转化功率得到大幅提升，能够完成25%以上的电池功率和23%以上的组件功率。
高效的组件功率可节省占地面积、支架和人工费用等BOS本钱。一起，高的开路电压带来了较低的温度系数（-0.29%/℃），使其在实际发电中有更好的电量输出，相对惯例晶硅组件发电量高出~6%。别的，其双面对称的电池结构能够完成双面发电，根据不同的地面状况和不同的装置角度，相同装机容量下相对晶硅单面组件有12-35%的发电增益，可进一步降低度电本钱。SHJ电池选用n型的单晶硅片，其组件在实际运用中不存在光致衰减（LID）和电致衰减（PID），环境安稳性更好。
产品特性：电池转化功率23%以上，组件功用安稳，温度系数低，高温下功率输出高，双玻封装寿命可达30年以上，且双面均可发电，使发电量大幅添加。
方针商场：可广泛用于分布式电站，光伏修建壹体化，隔音墙，农/渔光互补，污水处理厂光伏发电，移动动力等商场。
非晶硅/硅锗技能
非晶硅和硅锗均为硅的非结晶同素异形体，可在低温下沉降于不同品种的衬底之上。它为各种电子产品供给了一些共同的功用。与多晶硅(mc-Si)比较，非晶硅的电子体现较低，然而在实际运用中更具灵活性。例如，非晶硅层能够制作得比晶硅更薄，可节省更多的硅基资料本钱。
硅基的另一个显著优势在于其可在低温下完成堆积（例如75℃），不只能在玻璃上，并且能在廉价的塑胶上完成堆积，使之成为了轴对轴加工技能的最佳方案。堆积时，非晶硅能够类似多晶硅般掺杂其它物质，最终构成电子设备。非晶硅现已成为电晶体活泼层，液晶显示幕（LCD）和电池及组件的中心质料。
非晶硅另一个优势在于其可经过等离子增强化学气相堆积（PECVD）完成大面积堆积。PECVD体系的规划将极大地影响非晶硅元件本钱。因此，大多数设备供给商将要点放在规划制作高输送量的PECVD设备以完成更低的出产本钱。
经过根据硅锗串联出产线自主研制Fab2.0体系的技能打破，本集团完成了发电元件的更高转化功率，更低的出产本钱（削减约9%），提升了发电组件的本钱效益和竞争力。
纳米晶硅技能
纳米晶硅有晶体硅内的非晶相颗粒，相对与完全由晶体硅颗粒构成的多晶硅，由颗粒边界离隔。二者的差异在于晶体颗粒的大小：纳米晶硅内的晶体颗粒多在纳米级上下。因有晶体颗粒的存在，比较多晶硅而言，纳米晶硅比非晶硅具有更好的电子迁移率，增强了对红光和红外线波长的吸收，提升了光致安稳性，使之成为硅基太阳能电池的重要原资料。与非晶硅类似，纳米晶硅同样是电晶体的活泼层、太阳能电池和组件的上佳挑选。
纳米晶硅最重要的优势在于其具有更好的安稳性，比非晶硅更简单制作，可运用非晶硅的惯例低温堆积技能完成堆积（例如PECVD），而无需运用制作晶硅的镭射退火或高温化学气相堆积（CVD）流程。将纳米晶硅和非晶硅/硅锗技能结合成为多结太阳能电池，电池转化功率可提升至12%以上，而本钱却能下降15%以上。
纳米晶硅技能
纳米晶硅有晶体硅内的非晶相颗粒，相对与完全由晶体硅颗粒构成的多晶硅，由颗粒边界离隔。二者的差异在于晶体颗粒的大小：纳米晶硅内的晶体颗粒多在纳米级上下。因有晶体颗粒的存在，比较多晶硅而言，纳米晶硅比非晶硅具有更好的电子迁移率，增强了对红光和红外线波长的吸收，提升了光致安稳性，使之成为硅基太阳能电池的重要原资料。与非晶硅类似，纳米晶硅同样是电晶体的活泼层、太阳能电池和组件的上佳挑选。
纳米晶硅最重要的优势在于其具有更好的安稳性，比非晶硅更简单制作，可运用非晶硅的惯例低温堆积技能完成堆积（例如PECVD），而无需运用制作晶硅的镭射退火或高温化学气相堆积（CVD）流程。将纳米晶硅和非晶硅/硅锗技能结合成为多结太阳能电池，电池转化功率可提升至12%以上，而本钱却能下降15%以上。
制作技能
太阳电池能够运用在价格低廉的玻璃、塑料、陶瓷、石墨，金属片等不同资料当基板来制作，构成可发生电压的厚度仅需数μm，因此在同一受光面积之下可较硅晶圆太阳能电池大幅削减质料的用量(厚度可低于硅晶圆太阳能电池90%以上)，现在实验室转化功率最高已达20%以上，规模化量产安稳功率最高约13%。太阳电池除了平面之外，也由于具有可挠功用够制作成非平面结构其运用规模大，可与修建物结合或是变成修建体的一部份，在太阳电池制作上，则可运用各式各样的堆积(deposition)技能，一层又一层地把p-型或n-型资料长上去，常见的太阳电池有非晶硅、CuInSe2 (CIS)、CuInGaSe2 (CIGS)、和CdTe..等。
模块结构
太阳能模块是由玻璃基板、金属层、透明导电层、电器功用盒、胶合资料、半导体层..等所构成的。
产品运用
半透明式的太阳能电池模块：修建整合式太阳能运用(BIPV)
太阳能之运用：随身折迭式充电电源、军事、旅行
太阳能模块之运用：房顶、修建整合式、远程电力供给、国防
厚度比较
晶体硅(180～250μm)、单结非晶硅(600nm)，叠层非晶硅（400nm~500nm）。
特征
1.相同遮盖面积下功率损失较小(弱光情况下的发电性佳)
2.照度相同下损失的功率较晶圆太阳能电池少
3.有较佳的功率温度系数
4.较佳的光传输
5.较高的累积发电量
6.只需少数的硅质料
7.没有内部电路短路问题(联机已经在串联电池制作时内建)
8.厚度较晶圆太阳能电池薄
9.资料供给无虑
10.可与建材整合性运用(BIPV)
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